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MBE growth of tensile-strained Ge quantum wells and quantum dots
Yijie HUO 1,*Hai LIN 2Robert CHEN 1Yiwen RONG 1[ ... ]James S. HARRIS 1
作者单位
摘要
1 Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA
2 Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA
Si photonics germanium (Ge) tensile strained photoluminescence (PL) 
PDF全文 Full Text
Frontiers of Optoelectronics
2012, 5(1): 112
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